中國自主研制成功新型光刻機

中科院光電技術研究所3月23日消息，該所微電子專用設備研发团隊自主研制成功紫外納米壓印光刻機。新型光刻機將納米壓印這一新型高分辨力光刻技術，與具有低成本、高效率特點的紫外光刻技術有機結合。

据了解，上述設備采用新型納米對准技術，將原光刻設備的對准精度由亞微米量級提升至納米量級。對准是光刻設備三大核心指標之一，是實現功能化器件加工的关鍵。

据悉，該設備可廣泛應用于微納流控晶片加工、微納光學元件、微納光柵、NMEMS器件等微納結構器件的制備，具有廣闊的應用前景，目前已完成初試和小批生產，并已在高校與企業用戶中推廣。

另据報道指出，上海微電子也发布了平板顯示光刻機，產品良率高達95%（原本的良率為70%-80%）的高亮度LED光刻機，MEMS和功率器件光刻機。

据報道，光刻機是芯片生產中最核心的設備，也是中國大陸芯片生產設備制造的最大短板。

中國在半導體設備制造領域與西方差距仍舊大（圖源：Reuters/VCG）

不過，雖然在前道光刻機方面嚴重依賴進口，但在后道光刻機和投影光刻機方面，國內厂商還是頗為可圈可點的——上海微電子的國內市場占有率超過80%，全球市場占有率為40%；用于LED制造的投影光刻機的市場占有率為20%。

實際上，在半導體設備制造方面，中國和西方差距最大的就是光刻機。目前，光刻機業界龍頭老大是荷蘭ASML。而EVU光刻機量產型號已經做到14nm水平，現在Intel、三星的14nm光刻機都是買自ASML。

與ASML相比，中國光刻機企業就顯得相当寒磣，處于技術領先的是上海微電子裝備有限公司，該公司已量產的光刻機中性能最好的是90nm光刻機。

報道披露，因中國光刻機市場被外商占据，上微重金研发的90nm光刻機因光源技術上受制于人，導致產能不穩定，巨額研发資金血本無歸，進而導致研发人員人心浮動，技術骨干流失。

隨著核高基02專項解決了光源、物鏡等核心部件受制于人的情況，中國產光刻機技術進步即將迎來一個发展期，有消息稱已經成功研发出55nm級别的光刻機。