2007年諾貝爾物理學獎頒發給法國的Albert Fert及德國的Peter Grünberg以表彰他們在1988年分別獨立發現巨磁阻效應，因而對磁性紀錄技術產生了重大影響。

巨磁阻現象是指樣品的電阻在很弱的外加磁場下會具有很大的變化。法國的Albert Fert及德國的Peter Grünberg在1980年代分別獨立利用鐵鉻多層膜技術來產生巨磁阻效應，分別產生了50%及10%的磁阻變化。到了1988年由M. N. Baibich等人可以在鐵鉻多層膜系統中使這個系統的的電阻在2T的磁場下變為兩倍，取得了重大突破。

巨磁阻現象可以利用下面的模型來幫助了解。假設我們有兩層磁性物質中間夾著一層非磁性物質。如果兩層磁性物質的磁化方向相同，當通過一束電子自旋方向跟磁性物質相同平行的電流時，基本上電子可以容易的通過。但是如果兩層磁性物質的磁化方向相反，自旋與跟第一層磁化方向平行的電子可以順利通過第一層，卻會被第二層相反磁性方向的磁性物質所散射，因此通過的電流便會減少，也就是電阻會上升。因此利用電流的升降，可以定義邏輯訊號的0與1，進而發展各式各樣的磁記錄系統。

這個現象用來讀取磁性記錄裝置特別有用，當記錄資料所需的磁區隨著技術的發達而越來越小而能夠在單位面積下容納更多的資料，相對的讀寫頭也要隨之縮小才能增加讀取效率。但是縮小的磁區同時也表示磁場的訊號會減弱，這時便顯出巨磁阻物質的重要性。因為巨磁阻物質可以將磁性方法記錄的訊號，以不同的電流大小輸出。儘管磁場很小，但是還是可以產生足夠的電流變化。因此可以大幅提高資料儲存的密度。

巨磁阻現象發現之後，很快的變成為硬碟系統中的標準技術，進而大幅提升硬碟的儲存性能，並在1997年正式出現商業化產品，更可以說是奈米科技在生活上的重大應用。

巨磁阻:

物質在一定磁場下電阻改變的現象，稱為「磁阻效應」，磁性金屬和合金材料一般都有這種磁電阻現象，通常情況下，物質的電阻率在磁場中僅產生輕微的減小；在某種條件下，電阻率減小的幅度相當大，比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻值約高10餘倍，稱為「巨磁阻效應」（GMR）；而在很強的磁場中某些絕緣體會突然變為導體，稱為「超巨磁阻效應」（CMR）。

巨磁阻效應示意圖。FM（藍色）表示磁性材料，NM（橘色）表示非磁性材料，磁性材料中的箭頭表示磁化方向；Spin的箭頭表示通過電子的自旋方向；R（綠色）表示電阻值，綠色較小表示電阻值小，綠色較大表示電阻值大。

如右圖所示，左面和右面的材料結構相同，兩側是磁性材料薄膜層（藍色），中間是非磁性材料薄膜層（橘色）。

左面的結構中，兩層磁性材料的磁化方向相同。